玩单片机的都可（kě）能遇到过（guò）因外部干扰或因软件（jiàn）BUG导致死机，这对于有功率负载的电路是（shì）极为（wéi）不利的。 现在MCU都有了WDT看（kàn）门狗，当计数溢（yì）出就强制进行复位（wèi）。 但如果单片机因某种原因(如静电、浪涌等击（jī）穿)直接导致损坏，使其输入（rù）输出状态无法控制，且无（wú）法预料（liào）时，可能（néng）会造成不良后（hòu）果甚（shèn）至人身（shēn）安（ān）全。 如电机控制（zhì）、逆变（biàn）器等，当异常发生MCU输出端（duān）一直输（shū）出固定电平(这里（lǐ）假设（shè）高电平驱动)会导（dǎo）致（zhì）线（xiàn）圈（quān）进入饱和，产生大（dà）电流发热烧毁线圈甚至（zhì）是起（qǐ）火引发一系列（liè）不可预（yù）料后果。 那如何去有（yǒu）效避免这类问题（tí）的发生（shēng）呢（ne）?

任一MOS持续导通都会导（dǎo）线圈饱和发热

首先，最大的问（wèn）题（tí）是（shì）单（dān）片机失效后，IO端口状态无（wú）法（fǎ）预料（liào），只能切断（duàn）负载（zǎi）供电，所以（yǐ）只要能检测到MCU是否正常工（gōng）作，然后去控（kòng）制负载供电开关就可以（yǐ）避免上述问题了。 顺着这个思路，我们可以让单（dān）片机一个IO口一直输出50%占空比PWM信号，用一个电容进（jìn）行隔离，当正（zhèng）常（cháng）工作（zuò）时PWM信号可以通过电（diàn）容，经过整流滤波驱动MOS管导通，当死机（jī）后就没有（yǒu）PWM信号（hào）输出了，此时不管（guǎn）IO口（kǒu）是持续的高还是低（dī）电平，经过电容（róng）后级（jí）都没有电压（yā）了，此（cǐ）时（shí）MOS管截止负载供电被关断，这样就有效保护了负载。

负载保护（hù）电路图

最后结合上图重（chóng）新梳理一遍保护过程。 当单片机正（zhèng）常运行时IO1持续输出PWM信号，整流滤波后推动后级MOS管导通，提供（gòng）负（fù）载供电（diàn）; 当单片机（jī）死机（jī）或（huò）失效（xiào）后，就没有PWM信号输出，无（wú）论输出是持续的高或低电平，都没有整流电（diàn）压推动后（hòu）级MOS开（kāi）关管，此时MOS管（guǎn）截止，负载断电!

本电路（lù）重点运用（yòng）了电（diàn）容的隔直流特（tè）性，既能让连（lián）续变化（huà）的PWM耦合通（tōng）过（guò），又可以阻止直流电（diàn）压通过，从而（ér）有效检测MCU是否（fǒu）异（yì）常，同时控（kòng）制负载（zǎi）供电（diàn）开（kāi）关。