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>> 二三极管 场效应 晶闸管等
- 名称:ZXTP2012ZTA
- 描述(shù):贴片(piàn)SOT-89 品(pǐn)牌DIODES 4.3A,60V,PNP,硅(guī),功率(lǜ)晶体(tǐ)管(guǎn)
- 数量
- 1
- 100
- 价(jià)格
- 1.5
- 另议
-
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- 名称:STN790A
- 描述:贴片SOT-223 PNP 3A,40V
- 数量
- 1
- 100
- 价格
- 3.2
- 另议
-
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- 名(míng)称(chēng):PZT5551
- 描述:贴片SOT-223 NPN Vceo=160V
- 数量
- 1
- 100
- 价(jià)格
- 1.2
- 0.85
-
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- 名称(chēng):2SD1980
- 描述:贴(tiē)片(piàn)TO-252 品牌ROHM NPN,2A,100V
- 数(shù)量
- 1
- 100
- 价格
- 4.5
- 另议
-
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- 名(míng)称:2SD1804L
- 描述:贴片TO-252 NPN Vceo=50V Ic=8A
- 数量
- 1
- 100
- 价格
- 1.5
- 1.25
-
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- 名(míng)称:2SC2946
- 描述:贴片TO-252 NPN Vceo=200V
- 数量
- 1
- 100
- 价格
- 2.5
- 另(lìng)议
-
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- 名称(chēng):MJD122T4G
- 描述:贴片TO-252 进口ON NPN 印字J122G
- 数量
- 1
- 100
- 价格
- 3.8
- 另(lìng)议
-
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- 名(míng)称(chēng):MJD127T4G
- 描述:贴(tiē)片TO-252 进口ON PNP 印字J127G
- 数量
- 1
- 100
- 价(jià)格
- 4.5
- 另议
-
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- 名称:IMZ4T108
- 描述:SOT23-6 品牌ROHM/罗姆 NPN/PNP双硅晶(jīng)体管
- 数量
- 1
- 100
- 价格
- 0.9
- 0.72
-
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- 名(míng)称:IRF530NS
- 描(miáo)述:TO-263贴式 N沟道,通态漏极电(diàn)流ID=14A at 25摄(shè)氏度,漏源(yuán)击穿电压VDSS=100V,漏源电阻RDS(on)<=0.18欧(ōu) at 栅源(yuán)电压VGS=10V 漏(lòu)极电流(liú)ID=8A,耗散功率PD=75W at 25摄(shè)氏度
- 数量
- 1
- 50
- 价格
- 4
- 3.6
-
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- 名称:IRF540N
- 描述:TO-220 N沟(gōu)道,漏极电流ID=33A at 25摄氏(shì)度,漏(lòu)源击穿电压(yā)VDSS=100V,漏源电(diàn)阻RDS(on)<=0.044欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=16A,耗散功率PD=130W at 25摄氏度
- 数量
- 1
- 50
- 价格
- 2.4
- 2
-
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- 名称:IRF620
- 描述:TO-220 N沟(gōu)道,漏(lòu)极电流ID=6A at 25摄氏度,漏源击穿(chuān)电压VDSS=200V,漏源(yuán)电阻RDS(on)<=0.8欧(ōu) at 栅(shān)源电压(yā)VGS=10V 漏极电流ID=3A,耗(hào)散功率PD=70W at 25摄氏度
- 数量
- 1
- 50
- 价格(gé)
- 2.8
- 2.4
-
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- 名称:IRF630B
- 描述(shù):TO-220 N沟道,漏(lòu)极电流ID=9A at 25摄氏度,漏源(yuán)击穿电压VDSS=200V,漏源电阻RDS(on)<=0.4欧(ōu) at 栅源电压VGS=10V 漏极(jí)电流(liú)ID=4.5A,耗散(sàn)功率PD=72W at 25摄氏(shì)度
- 数(shù)量
- 1
- 10
- 价(jià)格
- 2.9
- 2.55
-
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- 名称:IRF640N
- 描述:TO-220 N沟道,漏极电流ID=18A at 25摄氏(shì)度(dù),漏源击穿电压VDSS=200V,漏(lòu)源电阻RDS(on)<=0.15欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极(jí)电(diàn)流ID=11A,耗(hào)散功率PD=150W at 25摄(shè)氏度(dù)
- 数量
- 1
- 50
- 价格
- 2
- 1.65
-
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