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>> 二（èr）三极管 场效应 晶闸管等
>> 场效应管
- 名称：IRFZ48N
- 描述：TO-220 N沟道,通态漏极电流ID=64A at 25摄氏度,漏源击（jī）穿电压VDSS=55V,漏源电阻RDS(on)0.014欧（ōu）
- 数量
- 1
- 50
- 价格（gé）
- 3.7
- 3.3
-
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- 名称（chēng）：2N60
- 描述（shù）：TO-251 N沟（gōu）道,通态漏极电流ID=2A at 25摄氏度,漏源击（jī）穿电压VDSS=600V,漏源电阻RDS(on)<=5欧 at 栅源电压VGS=10V 漏（lòu）极电流ID=1A,耗散（sàn）功率PD=45W at 25摄氏度
- 数量
- 1
- 50
- 价（jià）格
- 1.5
- 1.15
-
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- 名称：2N60L-TN3
- 描述：TO-252 品牌（pái）UTC N沟道,漏极（jí）电流（liú）ID=2A at 25摄氏度,漏源击穿电（diàn）压VDSS=600V,漏（lòu）源电（diàn）阻RDS(on)<=5欧 at 栅源电压VGS=10V 漏（lòu）极电流ID=1A,耗散功率PD=45W at 25摄氏度（dù）
- 数量
- 1
- 50
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- 1.5
- 1.2
-
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- 名（míng）称（chēng）：8205A
- 描述：TSSOP8 品牌HXY 2个N沟道 20V 6A 23m欧
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- 1
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- 0.55
- 0.45
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- 名称（chēng）：RHP020N06T100
- 描述：SOT89 品牌ROHM/罗姆 N沟道,通态漏（lòu）极电（diàn）流ID=2A at 25摄氏度,漏源击穿电（diàn）压VDSS=60V,漏源电阻（zǔ）RDS(on)<=0.15欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流（liú）ID=2A
- 数量
- 1
- 50
- 价格
- 1.8
- 1.55
-
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- 名称：8N60C
- 描述：TO-220 N沟道,漏极电流（liú）ID=7.5A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=600V,漏源电阻RDS(on)<=1.2欧 at 栅源电（diàn）压VGS=10V 漏（lòu）极电流（liú）ID=3.75A,耗散功率PD=147W at 25摄氏度（dù）
- 数量（liàng）
- 1
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- 3.5
- 2.8
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- 名称（chēng）：FQP6N80C
- 描述：TO-220 进口仙童/ON N沟道,通态（tài）漏极电流ID=5.5A at 25摄氏（shì）度,漏源击穿电压VDSS=800V,漏源电阻RDS(on)<=2.5欧（ōu） at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=2.75A,耗（hào）散功率PD=158W at 25摄氏度
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- 1
- 50
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- 4.2
- 另（lìng）议（yì）
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- 名称：FQP8N80C
- 描述：TO-220 进口仙童N沟（gōu）道,通态漏（lòu）极电（diàn）流（liú）ID=8A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=800V,漏源电阻RDS(on)<=1.55欧 at 栅（shān）源电压VGS=10V 漏极电流ID=4A,耗散功率PD=178W at 25摄氏（shì）度
- 数量
- 1
- 50
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- 7
- 另议
-
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- 名（míng）称：10N60B
- 描（miáo）述：TO-220F N沟道,漏极电流ID=9A at 25摄氏度,漏（lòu）源（yuán）击穿电压VDSS=600V,漏源电阻RDS(on)<=0.8欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=9A,耗散（sàn）功（gōng）率PD=50W at 25摄氏（shì）度
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- 1
- 50
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- 4
- 3.25
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- 名称：SVF12N65F
- 描述：TO-220F 品牌士兰（lán）微 N沟（gōu）道,12A 650V 0.64欧姆
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- 1
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- 2
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- 名称：P60NF06
- 描述：TO-220 进（jìn）口（kǒu）ST N沟道,漏极电流ID=16A at 25摄氏度,漏源击（jī）穿电压VDSS=60V,漏（lòu）源电阻RDS(on)<=0.1欧 at 栅源电（diàn）压VGS=10V 漏极（jí）电流（liú）ID=8A,耗散功率PD=45W at 25摄氏度
- 数量
- 1
- 50
- 价格
- 4.4
- 4
-
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- 名称：FQP17P10
- 描述：TO-220 P沟道,通态漏极电流ID=-16.5A at 25摄氏度（dù）,漏源击穿电压VDSS=-100V,漏源电阻RDS(on)<=0.19欧 at 栅源（yuán）电压VGS=-10V 漏极电（diàn）流ID=-8.25A ,耗散功率PD=100W at 25摄氏度（dù）
- 数量
- 1
- 50
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- 12
- 另议
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- 名称：IPP15N03L
- 描述（shù）：TO-220 品（pǐn）牌infineon N沟道,漏极电（diàn）流（liú）ID=42A at 25摄氏（shì）度（dù）,漏源击穿电压VDSS=30V,漏（lòu）源电阻RDS(on)<=0.0126欧（ōu） at 栅源电压（yā）VGS=10V 漏极电流ID=21A,耗散功率PD=83W at 25摄氏度
- 数量（liàng）
- 1
- 50
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- 7
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- 名（míng）称（chēng）：K1249(2SK1249)
- 描述：TO-3P N沟道,漏源击穿电压VDSS=500V,漏（lòu）极电流ID=15A 进（jìn）口
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- 11.5
- 另议
-
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- 描述：TO-220 N沟道,漏（lòu）源击穿电压VDSS=500V,漏源电（diàn）阻RDS(on)=0.04欧 at 栅源电压VGS=+-30V 漏极电流ID=12A,耗散（sàn）功率PD=40W
- 数量
- 1
- 50
- 价格（gé）
- 4.5
- 3.7
-
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- 名称（chēng）：SSP7N80A
- 描述：TO-220 N沟道,漏源击穿电压VDSS=800V,漏源电（diàn）阻（zǔ）RDS(on)=1.8欧 漏极电（diàn）流ID=7A
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- 50
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- 8
- 另议
-
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- 名称：FQA70N10
- 描述（shù）：TO-3P 品牌ON N沟道,100V,70A,23毫（háo）欧
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- 14
- 另议
-
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- 名称：FDA70N20
- 描（miáo）述：TO-3PN 品牌FAIRCHILD N沟道（dào）,200V,70A,35毫欧
- 数量
- 1
- 50
- 价（jià）格
- 19
- 另议
-
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- 名称：FDA18N50
- 描述（shù）：TO-3PN 品（pǐn）牌安森美（měi） N沟道,500V,19A,265毫欧
- 数量
- 1
- 50
- 价格
- 12
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- 名（míng）称：FQP30N06L-VB
- 描（miáo）述：TO-220 品牌（pái）微碧（bì） N沟道,漏源（yuán）击穿（chuān）电压（yā）VDSS=100V,漏源（yuán）电（diàn）阻RDS(on)=0.127欧 漏极电流（liú）ID=18A
- 数量
- 1
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- 3.2
- 另议
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- 名称：RFP25N05
- 描述：TO-220 品牌FSC N沟（gōu）道,漏源击穿（chuān）电压VDSS=50V,漏（lòu）源电阻（zǔ）RDS(on)=0.047欧 漏极（jí）电流（liú）ID=25A
- 数量
- 1
- 50
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- 7
- 另议
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- 名称：FQP27P06
- 描（miáo）述：TO-220 友台半导体 P沟道,漏源击穿电压（yā）VDSS=60V,漏源（yuán）电阻RDS(on)=0.07欧 漏（lòu）极电流ID=13.5A
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- 1
- 50
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- 2.7
- 另议
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- 名称（chēng）：RFP30P05 国产优质
- 描（miáo）述：TO-220 国产大芯片 P沟（gōu）道,漏源击（jī）穿（chuān）电压VDSS=50V,漏源电阻RDS(on)=0.065欧 漏极电流ID=30A
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- 1
- 50
- 价格
- 3.5
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-
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- 名称：RFP30P05 翻新
- 描述：TO-220 品牌FSC P沟道（dào）,漏源击（jī）穿电压（yā）VDSS=50V,漏源电阻RDS(on)=0.065欧（ōu） 漏极电流ID=30A
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